سامسونگ الکترونیک از استراتژی فرآیند خودرو در انجمن ریخته گری سامسونگ 2023 اتحادیه اروپا رونمایی کرد

رونمایی سامسونگ الکترونیک از استراتژی فرآیند خودرو

Samsung Electronics، پیشرو جهانی در فناوری پیشرفته نیمه هادی، امروز میزبان انجمن ریخته گری سامسونگ (SFF) 2023 اروپا بود و از راه حل های پیشرفته و گسترده فرآیند خودرو، از پیشرفته ترین فرآیند 2 نانومتری تا فرآیند قدیمی 8 اینچی، رونمایی کرد.

سامسونگ الکترونیکس آخرین روندهای فناوری و استراتژی تجاری خود را متناسب با بازار اروپا به نمایش گذاشت.

دکتر سیونگ چوی، رئیس و رئیس کسب و کار ریخته‌گری، گفت: «سامسونگ فوندری در حال نوآوری در راه‌حل‌های نسل بعدی برای ایجاد مجموعه‌ای گسترده است. که نیازهای رو به رشد مشتریان خودروی ما را برآورده می‌کند، به‌ویژه زمانی که عصر خودروهای الکتریکی به واقعیت تبدیل می‌شود.»

Samsung Electronics  در حال تقویت آمادگی خود برای ارائه خدمات متمایز به مشتریان در انواع راه حل ها، از جمله نیمه هادی های قدرت، میکروکنترلرها و تراشه های هوش مصنوعی پیشرفته برای رانندگی خودکار است.

از زمان شرکت در IAA Mobility 2023 برای اولین بار در سپتامبر، Samsung Electronics در حال تقویت تعامل و مشارکت در فرآیندهای تخصصی برای مشتریان خودرو در بازار اروپا است.

برنامه های کاربردی جدید پیشگام با پیشرفته ترین eMRAM صنعت

رونمایی سامسونگ الکترونیک از استراتژی فرآیند خودرو به منظور پاسخگویی به نیازهای جدیدترین پیشرفت‌ها در بازار خودرو، سامسونگ در حال توسعه اولین eMRAM 5 نانومتری صنعت برای فناوری نسل بعدی خودرو است. eMRAM یک نیمه هادی حافظه نسل بعدی است.

از زمان توسعه و تولید انبوه اولین eMRAM مبتنی بر 28 نانومتری FD-SOI1 در صنعت در سال 2019، سامسونگ الکترونیکس در حال توسعه 14 نانومتر برای فرآیند FinFET بر اساس AEC-Q100 Grade 1 است. Samsung Foundry قصد دارد مجموعه eMRAM خود را با افزودن 14024 نانومتر در 8 نانومتر افزایش دهد. تا سال 2026 و 5 نانومتر تا سال 2027.

eMRAM 8 نانومتری سامسونگ پتانسیل افزایش 30 درصدی چگالی و 33 درصدی افزایش سرعت را در مقایسه با فرآیند 14 نانومتری نشان می‌دهد.

مقابله با بازار با راه‌حل‌های فرآیند خودرو از پیشرفته‌ترین تا قدیمی

این شرکت نقشه راه فرآیند پیشرفته خود را اعلام کرد. و برنامه های خود را برای تکمیل آمادگی تولید انبوه برای فرآیند 2 نانومتری خود برای کاربردهای خودرو تا سال 2026 برجسته کرد.

Samsung Electronics همچنین با گسترش مجموعه فرآیندهای BCD 8 اینچی (Bipolar-CMOS-DMOS) آمادگی خود را برای پاسخگویی به نیازهای مشتریان تقویت می کند. فرآیند BCD نقاط قوت سه فناوری فرآیند مختلف را ترکیب می کند. Bipolar (B)، CMOS (C) و DMOS (D) در یک تراشه و بیشتر در تولید نیمه هادی های قدرت استفاده می شود.

سامسونگ الکترونیکس قصد دارد فرآیند BCD 130 نانومتری فعلی خود را تا سال 2025 گسترش دهد. 90 نانومتر را تا سال 2025 به آن اضافه کند. انتظار می‌رود فرآیند BCD 90 نانومتری در مقایسه با فرآیند 130 نانومتری کاهش 20 درصدی در مساحت تراشه به همراه داشته باشد.

سامسونگ Foundry با استفاده از فناوری Deep Trench Isolation (DTI) که فاصله بین هر ترانزیستور را کاهش می دهد. تا عملکرد نیمه هادی های قدرت را به حداکثر برساند. می تواند ولتاژ 120 ولتی به جای 70 ولت را برای طیف وسیع تری از برنامه ها اعمال کند. این امر آمادگی ارائه یک کیت توسعه فرآیند (PDK) را که 120 ولت را به فرآیند BCD 130 نانومتری تا سال 2025 پیاده‌سازی می‌کند، را قادر می‌سازد.

برای دیدن محصولات میتوانید به سایت اینترنتی YASASTORE مراجعه فرمایید.